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Initial detection of potential-induced degradation using dark I–V characteristics of crystalline silicon photovoltaic modules in the outdoors
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-주제어
등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
998-1002(5쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>We have studied a method to diagnose the initial potential-induced degradation (PID) of p-type crystalline silicon photovoltaic (PV) modules using the dark I–V (DIV) characteristics of the PV power system. The DIV characteristic behavior is expressed as the reverse saturation current density ratio calculated by the double diode model and the current ratio by comparing DIV and light I–V (LIV) before and after the occurrence of PID of solar cells. The ratio of the normalized maximum power of the PV modules that suffered the initial PID in the outdoors was verified to be 0.0125 RMSE (root mean square error). The proposed method can detect the occurrence of PID by periodically measuring both end PV modules of the same PV string, without interruption of the power plant in the dark state, and it is possible to easily and quickly diagnose the power loss due to the initial PID.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> We investigated initial detection of potential-induced degradation (PID) using dark I-V characteristics in crystalline silicon photovoltaic modules. </LI> <LI> It is a method to quantitatively diagnose the power loss by PID by applying a specific voltage to both end modules of the PV string and comparing the current by DIV measurement at night. </LI> <LI> The ratio of the normalized maximum power of the PV modules that suffered the initial PID (<10% power loss) in the outdoors was verified to be 0.0125 RMSE. </LI> </UL> </P>
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