KCI등재
CMOS 기술을 기반으로 제작된 정합 특성이 우수한 BJT 구조 = A BJT Structure with High-Matching Property Fabricated Using CMOS Technology
저자
정의정(Yi-Jung Jung) ; 권혁민(Hyuk-Min Kwon) ; 권성규(Sung-Kyu Kwon) ; 장재형(Jae-Hyung Jang) ; 곽호영(Ho-Young Kwak) ; 이희덕(Hi-Deok Lee)
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2012
작성언어
Korean
KDC
569
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
16-21(6쪽)
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0
제공처
소장기관
본 논문에서는 CMOS 기반의 BJT 제작에 있어서 일반적인 BJT 구조에 비해 정합특성이 우수한 새로운 BJT 구조를 제안하고, 특성을 비교 분석하였다. 새로운 정합 구조가 기존의 정합 구조에 비해 콜렉터 전류 밀도 Jc는 0.361% 감소하였고, 전류이득 β는 0.166% 증가하여 큰 차이가 보이지 않았지만, 소자 면적이 10% 감소했으며, 콜렉터 전류(AIc)와 전류이득(Aβ)의 정합 특성이 각각 45.74%, 38.73% 향상되었다. 이와 같이 정합특성이 개선된 주 이유는 쌍으로 형성된 BJT 소자들의 에미터 간의 거리가 감소한 것이라고 생각되며, deep n-well 저항의 표준편차 값이 다른 저항들에 비해 큰 것으로부터 간접적으로 증명이 된다고 여겨진다.
더보기For CMOS based bipolar junction transistor (BJT), a novel BJT structure which has higher matching property than conventional BJT structure was proposed and analyzed. The proposed structure shows a slight decrease of collector current density, JC about 0.361% and an increase of current gain, β about 0.166% compared with the conventional structure. However, the proposed structure shows a decrease of area about 10% the improvement of matching characteristics of collector current (AIC) and current gain (Aβ) about 45.74% and 38.73% respectively. The improved matching characteristic of proposed structure is believed to be mainly due to the decreased distance between two emitters of pair BJTs, which results in the decreased effect of deep n-well of which resistance has the higher standard deviation than the other resistances.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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