KCI등재
리드 온 칩 패키징 기술을 이용하여 조립된 반도체 제품에서 패시베이션 파손을 막기 위한 본딩패드의 합리적 설계 = Optimum Design of Bonding Pads for Prevention of Passivation Damage in Semiconductor Devices Utilizing Lead-on-Chip (LOC) Die Attach Technique
저자
이성민 (인천대학교) ; 김종범 (인천대학교) ; Lee, Seong-Min ; Kim, Chong-Bum
발행기관
학술지명
마이크로전자 및 패키징학회지(Jornal of the Microelectronics and Packaging Society)
권호사항
발행연도
2008
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
69-73(5쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
본 연구에서는 리드-온-칩 패키징 기술을 이용한 반도체 제품에서 디바이스의 패드의 위치가 온도변화로 인한 신뢰성 문제에 대단히 중요하다는 것을 보여준다. 컴퓨터를 이용한 이론적 계산 및 실험을 통해 패시베이션 파손으로 대변되는 신뢰성 문제가 디바이스의 코너 부위에 위치한 패턴에서 가장 심하게 발생할 수 있다는 것을 보여준다. 따라서, 패시베시션 파손 등으로 인한 디바이스의 신뢰성 저하를 예방하기 위해서는 취약한 패드 부위는 다바이스의 테두리 부위보다는 중앙부위에 위치하도록 설계하는 것이 바람직하다는 것을 본 연구에서는 지적하고 있다.
더보기This article shows that the susceptibility of the device pattern to thermal stress-induced damage has a strong dependence on its proximity to the device comer in semiconductor devices utilizing lead-on-chip (LOC) die attach technique. The result, as explained based on numerical calculation and experiment, indicateds that the stress-driven damage potential of the passivation layer is the highest at the device comer. Thus, the bonding pads, which are very susceptible to passivation damage, should be designed to be located along the central region rather than the peripheral region of the device.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2022 | 평가예정 | 계속평가 신청대상 (계속평가) | |
2021-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | KCI후보 |
2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-06-28 | 학술지명변경 | 한글명 : 마이크전자 및 패키징학회지 -> 마이크로전자 및 패키징학회지외국어명 : The Microelectronics and Packaging Society -> Jornal of the Microelectronics and Packaging Society | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2001-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.48 | 0.48 | 0.43 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.39 | 0.35 | 0.299 | 0.35 |
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