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Inductive Shunt 피드백을 이용한 고선형성 광대역 저잡음 증폭기
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학술지명
한국전자파학회 논문지(The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
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2013
작성언어
Korean
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KCI등재
자료형태
학술저널
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1055-1063(9쪽)
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저 잡음 증폭기는 RF 수신단의 필수적인 요소이며, 다양한 무선시스템에서 사용하기 위하여 넓은 주파수 범위에서 동작하도록 요구된다. 전압 이득, 반사 손실, 잡음 지수, 선형성과 같은 중요한 성능지표들을 신중히 다루어서, 제안하는 LNA의 주요한 성능으로 역할을 하게끔 한다. Buffer 단에서 peaking 인덕터를 사용하며 전체적으로 cascade 구조로써 inductive shunt feedback을 LNA 입력 단에 성공적으로 적용하였다. 광대역 정합 주파수를 얻기 위한 설계식은 상대적으로 간단한 회로구성을 통해 도출된다. 입력 임피던스의 주파수 응답 분석을 위하여 pole과 zero를 광대역 응답을 실현하기 위한 특성으로 기술하였다. 입력 단에 게이트와 드레인 사이의 인덕터는 출력의 3차 고조파를 감소시킴으로 선형성을 크게 향상시킬 수 있다. 제안하는 회로를 0.18 ㎛의 CMOS 공정으로 제작하였고, Pad를 포함한 광대역 LNA의 칩 면적은 0.202 ㎟이다. 측정 결과는 1.5~13 ㎓에서 입력손실은 ?7 ㏈ 이하이고, 전압 이득은 8 ㏈ 이상이며, 잡음 지수는 6~9 ㏈ 정도이다. 그리고 IIP3는 8 ㎓에서 2.5 ㏈m이며, 1.8 V 전압에서 14 ㎃ 전류를 소모한다.
더보기Low noise amplifiers(LNAs) are an integral component of RF receivers and are frequently required to operate at wide frequency bands for various wireless systems. For wideband operation, important performance metrics such as voltage gain, return loss, noise figures and linearity have been carefully investigated and characterized for the proposed LNA. An inductive shunt feedback configuration is successfully employed in the input stage of the proposed LNA which incorporates cascaded networks with a peaking inductor in the buffer stage. Design equations for obtaining low and high input matching frequencies are easily derived, leading to a relatively simple method for circuit implementation. Careful theoretical analysis explains that poles and zeros are characterized and utilized for realizing the wideband response. Linearity is significantly improved because the inductor between gate and drain decreases the third-order harmonics at the output. Fabricated in 0.18 ㎛ CMOS process, the chip area of this LNA is 0.202 ㎟, including pads. Measurement results illustrate that input return loss shows less than ?7 ㏈, voltage gain greater than 8 ㏈, and a little high noise figure around 7~8 ㏈ over 1.5~13 ㎓. In addition, good linearity(IIP3) of 2.5 ㏈m is achieved at 8 ㎓ and 14 ㎃ of current is consumed from a 1.8 V supply.
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| 연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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| 2027 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
| 2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
| 2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | KCI등재 |
| 2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
| 2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
| 2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
| 2000-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
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|---|---|---|---|
| 2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
| KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
| 0.15 | 0.13 | 0.363 | 0.1 |
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