KCI등재
PVD법으로 제조한 박막 태양전지용 CuGaS<sub>2</sub> 박막의 특성 = Properties of CuGaS<sub>2</sub> Thin Films Fabricated by PVD Method for Thin Film Solar Cell
저자
정운조 ( Woon-jo Jeong ) ; 안호근 ( Ho-geun Ahn ) ; 박계춘 ( Gye-choon Park )
발행기관
학술지명
한국환경기술학회지(Journal of Korean Society Environmental Technology)
권호사항
발행연도
2011
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
1-6(6쪽)
제공처
본 연구에서는 Cu, Ga, S을 순차적으로 증착하여 Sulfurization하는 방법과 Cu, Ga만 순차적으로 증착하고 Sulfurization하는 방법의 두 가지를 사용하여 CuGaS<sub>2</sub> 박막을 제조하였고, XRD, SEM, Spectroscopy로서 그 구조적, 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. Cu는 비교적 융점이 높고 유리 기판에의 부착력을 향상시킬 목적으로 sputtering법으로 증착할 수도 있으나 동일한 챔버 내에서 작업을 할 목적으로 Thermal Evaporation법을 사용하였다. 기판온도가 150℃, 열처리온도는 300℃와 열처리 시간 1 시간에서 n-type의 CuGaS<sub>2</sub>박막을 화학양론적 조성비에 가까울 때 구현할 수 있었고, 이때 박막의 캐리어 농도, 홀 이동도 및 저항률은 각각 7.7816×10<sup>17</sup>[cm<sup>-3</sup>], 28.25185 [cm<sup>2</sup>/V·s] 및 2.7924×10<sup>-1</sup> [Ω·cm] 이었다.
더보기In this study, CuGaS<sub>2</sub> thin films were fabricated by two methods. First method is the sulfurization after the sequential deposition of Cu, Ga and S while second method is the sulfurization after the sequential deposition of Cu and Ga only. The structural, electrical and optical properties of these films are measured by XRD, SEM and Spectroscopy. The deposition of Cu is used by thermal evaporation method because of the same chamber process. We did not use sputtering method because of the different chamber process, regardless of their high adhesion force. The stoichiometric n-type CuGaS<sub>2</sub> thin films are realized by 150℃ substrate temperature, 300℃ heat-treatment temperature (1 hour). And then carrier concentration, hall mobility, resistivity of these films are 7.7816×10<sup>17</sup>[cm<sup>-3</sup>], 28.25185 [cm<sup>2</sup>/V·s] and 2.7924×10<sup>-1</sup> [Ω·cm], respectively.
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