KCI등재
SAW 대역 통과 필터용 ZnO 박막의 특성 개선 연구
저자
이승환(Seung-Hwan Lee) ; 강광용(Kwang-Yong Kang) ; 유윤식(Yun-Sik Yu) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
한국전자파학회논문지(The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
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발행연도
2014
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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수록면
1219-1227(9쪽)
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0
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제공처
펄스 레이저 증착(Pulsed laser Deposition: PLD) 및 RF 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition)의 단계적 적용을 통해, 표면탄성파 대역 통과 필터(Surface Acoustic Wave Bandpass Filter: SAW-BPF)용 ZnO 박막을 성장시켰다. PLD 방법으로 성장된 ZnO 박막 위에 RF sputtering 방법을 사용하여 ZnO 박막을 재증착시켰으며, 성장된 ZnO 박막의 물성을 분석하기 위하여 XRD, SEM 및 AFM 분석장비를 사용하였다. 두 가지 증착 방법이 단계적으로 적용되어 성장된 ZnO 박막의 경우, 결정성과 배향성이 우수하게 유지되면서 표면거칠기가 향상되었다. 분석 결과, ω-scan의 반치폭과 표면거칠기의 RMS 값은 각각 0.79°와 1.108 nm였다. 그리고 성장된 양질의 ZnO 박막을 사용하여 SAW-BPF를 제작하여 측정한 결과는 응답 특성의 중심주파수가 260.8 MHz, 대역폭은 2.98 MHz, 그리고 삽입손실은 36.5 dB이었다.
더보기For development of the surface acoustic wave bandpass filter(SAW-BPF), we fabricated the high quality ZnO thin films through the step-by-step(double) deposition using two different deposition methods which are pulsed laser deposition(PLD) and RF sputtering techniques. The second growth of ZnO thin films was completed by RF sputtering method on the first ZnO thin films pre-deposited by PLD method. The characteristics of ZnO thin films were analyzed by XRD, SEM and AFM systems. The FWHM of ω-scan analysis and the minimum RMS value of surface roughness of step-by-step grown ZnO thin films were 0.79° and 1.108 nm respectively. As a result, the crystallinity and the preferred orientation of the grown ZnO thin films were kept good quality and the surface roughnesses of those were improved by post-annealing process as comparison with ZnO thin film fabricated by the conventional PLD technique only. Using these proposed ZnO thin films, we demonstrated the RF device such as SAW-BPF, built by the proposed ZnO thin films, shows that it has the bandwidth of 2.98 MHz and the insertion loss of 36.5 dB at the center frequency of 260.8 MHz, respectively.
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2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | KCI등재 |
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2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
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2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
2000-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.13 | 0.363 | 0.1 |
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