KCI등재
SCIE
SCOPUS
Influence of Sn Doping on Photoluminescence and Photoelectrochemical Properties of ZnO Nanorod Arrays
저자
A. Santhosh Kumar (National Institute of Technology Karnata) ; N. M. Huang (University of Malaya) ; H. S. Nagaraja (National Institute of Technology Karnata)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2014
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
753-758(6쪽)
KCI 피인용횟수
16
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소장기관
Herein, the nanostructured Sn containing ZnO is directly synthesized on the surface of substrate by modified sol gel approach under low-temperature condition. The samples are characterized by scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD), Raman-scattering, photoluminescence (PL) and photoelectrochemical analyses.
The SEM micrographs show that the undoped and 1 at. % Sn doped films are composed of nanorods and the concentration of 2 at. % Sn doping hinders the rod-like structure’s growth and modulates into granular nature.
The investigations of XRD reveal that the synthesized undoped and Sn doped ZnO nanorods possess a perfect hexagonal growth habit of wurtzite zinc oxide, along the (002) direction of preference. The Raman spectra demonstrate that the vibrational mode of E1(LO), which is very weak in undoped and 1at. % Sn doped ZnO, is strongly enhanced with 2 at. % Sn doping into ZnO lattice. PL spectra show that strong UV emission in pure and 1 at. % Sn doped ZnO, while there is dominant green emission in 2 at. % Sn doped ZnO. Moreover, all the samples are photo electrochemically active and exhibit the highest photocurrent of 28 μA for the 1 at. % Sn doped ZnO nanorod arrays in 0.2M Na2SO4 electrolyte, on light irradiation. Time dependent photoresponse tests are carried out by measuring the photocurrent under chopped light irradiation.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
학술지등록 | 한글명 : Electronic Materials Letters외국어명 : Electronic Materials Letters | ||
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2013-10-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (기타) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2009-12-29 | 학회명변경 | 한글명 : 대한금속ㆍ재료학회 -> 대한금속·재료학회 | KCI후보 |
2008-01-01 | 평가 | SCIE 등재 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.68 | 0.41 | 1.08 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.89 | 0.83 | 0.333 | 0.06 |
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