KCI우수등재
SCOPUS
Growth of Ti on Si(111) - 7×7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi₂ on Si(111) Substrate
저자
김건호(Kun Ho Kim) ; 김인호(In Ho Kim) ; 이정주(Jeoung Ju Lee) ; 서동주(Dong Ju Seo) ; 최치규(Chi Kyu Choi) ; 홍성락(Sung Rak Hong) ; 양수정(Soo Jeong Yang) ; 박형호(Hyung Ho Park) ; 이중환(Joong Hwan Lee) ; 백문철(Mun Cheol Paek) ; 권오준(Oh Joon Kwon) ; 박동수(Ton)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1992
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
67-72(6쪽)
제공처
고에너지 반사 전자회절기(RHEED) 및 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 Si(111)-7×7 면에서의 Ti박막의 성장 mode와 Si(111) 면에서의 C54 TiSi₂의 정합성장을 조사하였다. 초고진공에서 Si(111)-7×7 표면에 상온에서 Ti를 증착하면 Ti/Si 계면에서 비정질의 Ti-Si 중간막이 먼저 형성되고 그 위에 Ti 박막은 다결정으로 성장하였다. 160 ML의 Ti를 증착한 시료를 초고진공 내에서 750℃로 10분 열처리하면 C54 TiSi₂가 정합성장하였으며 이는 HRTEM 격자상 및 TED pattern으로 확인할 수 있었다. TiSi₂/Si(111) 시료를 다시 900℃로 가열하면 TiSi₂ 위에 단결정 Si층이 [111] 방향으로 성장하였다.
더보기The growth of Ti on Si(111)-7×7 and the formation of epitaxial C54 TiSi₂ were investigated by using reflection high energy electron diffraction(RHEED) and high resolution transmission electron microscopy(HRTEM). Polycrystalline Ti layer is grown on the amorphous Ti-Si interlayer which is formed at the Ti/Si interface by Ti deposition on Si(111)-7×7 at room temperature (RT). HRTEM lattice image and transmission electron diffraction (TED) showed that epitaxial C54 TiSi₂ grown on Si substrate with 160 ML of Ti on Si(111)-7×7 surface at RT, followed by annealing at 750℃ for 10 min in UHV. Thin single crystal Si overlayer with [111] direction is grown on TiSi₂ surface when TiSi₂/Si(111) is annealed at ~900℃ in UHV, which was confirmed by Si(111)-7×7 superstructure.
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