KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Atomically thin PdS2: physical characteristics and electronic device applications
저자
Jo Hyeon Seung (Jeonbuk National University) ; Oh Guen Hyung (Jeonbuk National University) ; Kim Sang-il (University of Seoul) ; Kim Tae wan (Jeonbuk National University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2023
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
751-755(5쪽)
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제공처
This paper details the fabrication and characterization of feld-efect transistors (FETs) and photodetector devices based on few-layered palladium disulfde (PdS2) flms. PdS2 is an emerging member of the transition metal dichalcogenide family that has not been extensively studied. In this study, we evaluated various characteristics of PdS2 by fabricating FET devices and measured the contact resistance using the transmission line method to be 114 MΩ ∙ μm. We evaluated the electron transport properties of the fabricated FETs to confrm their n-type behavior and measured their capacitance–voltage (C–V) curves.
The feld-efect mobility of the few-layered PdS2 FETs fabricated through transmission line patterning was investigated at room temperature (300 K) and found to be 2.85 cm2 V−1 s −1.
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