KCI등재
SCOPUS
Al-Si 층교환 성장에서 ZnO 표면 거칠기가 Si 결정성에 미치는 영향 = Influence of the Surface Roughness of a ZnO Layer on the Growth of a Polycrystalline Si-layer by Using an Aluminum-induced Layer-exchange Process
저자
장원범 (한국해양대학교 응용과학과) ; 최성국 (한국해양대학교 응용과학과) ; 정수훈 (한국해양대학교 응용과학과) ; 이정우 (한국해양대학교) ; 장지호 (한국해양대학교) ; Kosuke HARA (Japan) ; Haruna WATANABE (Japan) ; Noritaka USAMI (Japan)
발행기관
학술지명
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발행연도
2013
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
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수록면
1218-1223(6쪽)
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0
제공처
We have investigated the effect of the surface roughness of the zinc-oxide (ZnO) layer on the growth of a by using the polycrystalline-Si (poly-Si) layer Al-induced layer-exchange process. We found that the growth rate, grain size, crystallized fraction and preferential orientation were closely related to the surface roughness of the underlying ZnO layer. As the ZnO surface became rougher, the growth rate, grain size, and crystallized fraction increased, and a preferential orientation in the (100) direction appeared as well. The poly-Si layer that formed on ZnO with a root-mean-square roughness of 2.4 nm revealed a fast growth time (40 minutes), a large grain size (20 μm) and a high crystallized fraction (51%) with a preferential (100) orientation.
더보기고효율 박막 태양전지의 구현을 위해 ZnO (Zinc Oxide) 박막위에 Al-Si 층교환 성장방법 (layer exchange method)을 이용하여 다결정 실리콘 (poly-Si)을 성장하였다. 특히 본 연구에서는 ZnO의 표면 거칠기가 다결정 Si 결정성에 미치는 영향을 조사하였다. ZnO 표면 거칠기에 따른 다결정 Si의 결정립의 크기 (grain size), 정렬방향 변화를 성장 중 현미경 관찰, Field-emission scanning electron microscope (FE-SEM)측정과 Electron backscatter diffraction (EBSD)을 이용해 조사하였다. ZnO의 표면 거칠기가 증가 할 수록 결정화 속도와 결정립 크기가 증가하였으며, (100)배향이 관찰되었다. 결과적으로 표면 거칠기가 2.4 nm 인 ZnO 를 이용하여 20 μm 이상의 입자크기와 높은 결정화도를 가지며 51% 이상의 (100) 배향성을 갖는 다결정 Si 박막이 구현되어, 높은 효율을 갖는 다결정 Si 박막 태양전지의 성능 향상에 기여할 수 있는 가능성을 제시하였다.
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
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2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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