KCI등재
펄스 레이저 증착법으로 제작된 Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-MgO-ZnO-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 박막의 제작 및 특성 분석 = Fabrication and Characterization of Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-MgO-ZnO-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> Thin Films by Pulsed Laser Deposition
저자
배기열 ; 이동욱 ; 이원재 ; 배윤미 ; 신병철 ; 윤순길 ; Bae, Ki-Ryeol ; Lee, Dong-Wook ; Elanchezhiyan, J. ; Lee, Won-Jae ; Bae, Yun-Mi ; Shin, Byoung-Chul ; Yoon, Soon-Gil
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
211-215(5쪽)
DOI식별코드
제공처
Pulsed laser deposition is a very efficient technique for fabricating thin films of complex compounds. In the present work, $Bi_2O_3$-MgO-ZnO-$Nb_2O_5$ (BMZN) pyrochlore thin films were deposited on platinized Si substrates at various temperatures by using pulsed laser deposition technique. These films have been characterized by X-ray diffractometer (XRD), atomic force microscopy (AFM) to investigate their structural, morphological properties. MIM structure was manufactured to analyze di-electrical properties of BMZN thin films. XRD results reveal the thin films deposited at less than $400^{\circ}C$ show only amorphous phase, the crystallized thin films was observed when the thin films were prepared temperature at above $500^{\circ}C$. From AFM, it was known that the thin film grown at $400^{\circ}C$ is the densest. Dielectric constant increased with increasing temperature up to $400^{\circ}C$ at 100 kHz and dramatically decreased at the higher temperature. A aspect of dissipation factor was the exact opposite of dielectric constant. BMZN thin films grown at $400^{\circ}C$ exhibited a high dielectric constant of 60.9, a low dissipation factor of 0.007 at 100 kHz.
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