n-type (100) Si 기판상에 E-beam evaporation 방식으로 Ti 금속(250Å)을 증착하고 2단계RTA 방식(N_2, 10^-1 atm)으로 TiSi_2(C54)를 형성한 후, 고온로(T-850℃, 900℃)에서 10∼90분간, N_2 분위기로 후속열처리를 실시하였다. 실험에서 얻어진 TiSi_2(C54) 박막은 두께가 200Å으로 (040) 방향으로 배향성장되었으며 면저항의 값은 10Ω/□로 나타났다. 이후 후속공정으로 850℃에서 30분간 열처리를 실시 했을 때 면저항의 값은 약 15% 정도 증가하였으며 900℃ 이상의 열처리 온도에서는 응집현상과 실리사이드막을 통한 산화막의 형성으로 면저항이 급격히 증가하였다.
Thin Ti films with the thickness of 250Å were deposited on the clean n-type Si(100) substrates in the UHV chamber by E-beam evaporation. Ti-silicidation was performed by the two step RTA method in N_2 ambient with the pressure of 10^-1atm. The thermal instabilities of Ti-silicides annealed at 850℃∼900℃ for 100min∼90min in a furnace with N_2 ambient have been investigated.
As-formed Ti-silicides(TiSi_2-C54) obtained from the two step RTA method showed the sheet resistance of 10 Ω/□ and the crystal phase of (040) orientation growth. the sheet resistance of TiSi_2(C54) post-annealed at 850℃ for 30min increased about 15%, while showed the rapid increase due to agglomeration and oxide formation at the silicide surface in the post-annealing condition of 900℃.
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