KCI등재후보
유한요소법을 이용한 실리콘 기판에서의 공핍 영역 해석 = Depletion region analysis of silicon substrate using finite element methods
저자
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학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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발행연도
2002
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재후보
자료형태
학술저널
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1-11(11쪽)
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0
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In this paper, new simple method for the calculation of depletion region under complex geometry and general purpose numerical simulator that could handle this were developed and applied in the analysis of SCM with nanoscale tip, which is a promising tool for high resolution dopant profiling. Our simple depletion region seeking algorithm alternatively switches material of elements to align ionized element boundary with contour of zero potential. To prove the validity of our method we examined whether our results satisfy the definition of depletion region and compared those with known values of pn junction and MOS structure. By modeling of capacitance based on the shape of depletion region and potential distribution, we could calculate the CV curve and dC/dV curve between silicon substrate and nanoscale SCM tip.
더보기본 논문에서는 나노영역의 고해상도 도핑 농도 측정 장비 개발을 위해 공핍 근사 조건하에 복잡한 계산영역에서 공핍 영역을 간단히 계산할 수 있는 방법을 개발하였다. 개발된 공핍 영역 계산 방법은 유한요소법을 이용한 적응분할 포아송 방정식 해석기를 사용하여 대전된 영역의 경계에서 전위가 0인 등고선과 일치하도록 하여 계산하는 방법이다. 이 방법의 타당성을 검증하기 위해 계산된 대전영역 및 전위분포가 공핍 영역의 정의에 맞는지 확인하였으며, pn 접합에서의 공핍영역 깊이 및 MOS 구조에서 정전용량을 계산하여 비교해 본 결과 이론치와 정확히 일치함을 알 수 있었다. 이러한 pn접합 및 MOS 에서 공핍영역 계산 검증을 바탕으로 나노영역의 탐침을 장착한 SCM에서 전압에 따른 실리콘 내의 공핍영역 모양과 전위를 분석하여, 정전용량 모델링을 하였으며, 이로부터 CV 곡선과 SCM의 출력인 dC/dV 곡선을 계산하였다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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