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금속산화물 다층 구조 전극을 이용한 유기물 박막 트랜지스터의 전하 주입 특성 향상 = Enhancement of Charge Injection in an Organic Thin-Film Transistor with a Metal-Oxide Multilayer Electrode
We studied the effect of insertion of metal-oxide layers into electrodes for OTFTs (organic thin film transistors) to improve their electrical characteristics. The thickness of pentacene was about 50 nm and the metal electrode was made of gold. The metal-oxide thin-film layers inserted between the electrode and the organic pentacene layers were about 2$\sim$8 nm and the electrical properties of the inserted metal-oxide layers were measured by using UPS (ultraviolet photoelectron spectroscopy). From the results for the electrical properties, the mobility and the threshold voltage of the OTFTs with inserted WO$_3$ layers were improved from 8.80 $\times$ 10$^{-3}$ cm$^2$/V$\cdot$s to 2.48 $\times$ 10$^{-2}$ cm$^2$/V$\cdot$s and were decreased from -12.3 V to -4.09 V, respectively. The mobility and the threshold voltage of the OTFTs with inserted TiO$_2$ layers were decreased to 7.04 $\times$ 10$^{-3}$ cm$^2$/V$\cdot$s and -3.38 V, respectively. From the results of the UPS analysis, we found that the inserted WO$_3$ layers decreased and TiO$_2$ layers increased the energy barriers at the interface between the electrode and the organic pentacene layers.
더보기본 연구에서는 유기물 박막 트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 금속산화물인 WO$_3$와 TiO$_2$ 박막을 삽입한 다층 구조 전극에 대한 연구를 수행하였다. OTFT의 활성층으로 펜타센을 50 nm의 두께로 증착한 유기물 박막을 사용하였고 전극은 50 nm 두께의 Au 박막을 사용하였다. Au 전극과 펜타센 박막 사이에 2$\sim$8 nm 두께의 금속산화물 박막을 삽입하였으며 금속산화물의 종류와 두께에 따라 전기적 특성과 UV 광전자 분광 (ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 분석을 통해 에너지 준위의 변화를 관찰하였다. 실험 결과, 전극에 WO$_3$를 삽입한 OTFT는 전하이동도가 8.80 $\times$ 10$^{-3}$ cm$^2$/V$\cdot$s에서 최대 2.48 $\times$ 10$^{-2}$ cm$^2$/V$\cdot$s까지 증가하였고 문턱전압도 -12.3 V에서 최대 -4.09 V까지 감소하였다. TiO$_2$를 삽입한 OTFT는 전하이동도가 7.04 $\times$ 10$^{-3}$ cm$^2$/V$\cdot$s 로 감소하였으며 문턱전압은 -3.38 V 까지 감소하였다. UPS 분석 결과 WO$_3$ 박막을 삽입하면 OTFT의 에너지 장벽이 낮아지고 TiO$_2$ 박막을 삽입하면 OTFT의 에너지 장벽이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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