KCI등재후보
Cu-SiO<sub>2</sub> 하이브리드 본딩 = Cu-SiO<sub>2</sub> Hybrid Bonding
저자
서한결 (서울과학기술대학교) ; 박해성 (서울과학기술대학교) ; 김사라은경 ; Seo, Hankyeol ; Park, Haesung ; Kim, Sarah Eunkyung 연구자관계분석
발행기관
학술지명
마이크로전자 및 패키징학회지(Jornal of the Microelectronics and Packaging Society)
권호사항
발행연도
2020
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재후보
자료형태
학술저널
수록면
17-24(8쪽)
DOI식별코드
제공처
As an interconnect scaling faces a technical bottleneck, the device stacking technologies have been developed for miniaturization, low cost and high performance. To manufacture a stacked device structure, a vertical interconnect becomes a key process to enable signal and power integrities. Most bonding materials used in stacked structures are currently solder or Cu pillar with Sn cap, but copper is emerging as the most important bonding material due to fine-pitch patternability and high electrical performance. Copper bonding has advantages such as CMOS compatible process, high electrical and thermal conductivities, and excellent mechanical integrity, but it has major disadvantages of high bonding temperature, quick oxidation, and planarization requirement. There are many copper bonding processes such as dielectric bonding, copper direct bonding, copper-oxide hybrid bonding, copper-polymer hybrid bonding, etc.. As copper bonding evolves, copper-oxide hybrid bonding is considered as the most promising bonding process for vertically stacked device structure. This paper reviews current research trends of copper bonding focusing on the key process of Cu-SiO<sub>2</sub> hybrid bonding.
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