SCOPUS
SCIE
Effect of sintering aid (CoO) on transport properties of nanocrystalline Gd doped ceria (GDC) materials prepared by co-precipitation method
저자
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학술지명
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발행연도
2013
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
455-460(6쪽)
제공처
Electrical and dielectric properties of the nanocrystalline GDC materials co-doped with CoO (by deposition precipitation method) were studied in the temperature range of 150-600<SUP>o</SUP>C. CoO co-doped samples show higher grain interior conductivity than that of GDC. Dielectric loss tangent (tan δ) shows the presence of defect associates such as (Co-V<SUB>o@?</SUB>-Co) and (Co-V<SUB>o@?</SUB>) in co-doped samples in addition to the defects (Gd-V<SUB>o@?</SUB>-Gd) and (Gd-V<SUB>o@?</SUB>) that are present in GDC system. Dynamic parameters such as migration energy and association energy of oxygen vacancies do not vary significantly with co-doping CoO in the GDC materials. With higher content of CoO, excess of Co<SUP>2+</SUP> in the grain boundary regions leads to trapping of vacancies and/or depletion of vacancies in the space charge region. Therefore grain boundary activation energy increases and grain boundary conductivity decreases with CoO content above 1mol%, at lower temperatures. In the temperature range of 150-600<SUP>o</SUP>C overall conductivities in CoO co-doped samples increase two to three times than that of GDC material.
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