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진공증착법에 의한 n-Zn0:12Cd0:88Te 박막의 성장 및 물리적 특성의 온도의존성 = Growth of n-Zn0:12Cd0:88Te Thin Films by Using a Vacuum Evaporation Method and Temperature Dependences of the Physical Properties
Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te thin films of about 470 nm in thickness were deposited on indium-tin-oxide(ITO)-coated glass substrates by using thermal evaporation of high-purity ZnTe and CdTe mixed tablets in high vacuum. X-ray diffraction spectra showed that the Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te thin films were preferentially grown with a (111) orientation. The structure of the Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te crystal was a mixture of the ZnTe and the CdTe zincblende structures with lattice constants $a$ = 6.481 Å~to $a$ = 6.335 Å~ for the CdTe and $a$ = 6.070 Å~ for the ZnTe. The optical energy band gap, measured at room temperature, of the as-deposited Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te thin film was 1.79 eV and decreased to about 1.73 eV and then increased to 2.23 eV upon annealing in a vacuum electric furnace at temperatures from 200 $^{\circ}$C to 400 $^{\circ}$C. The dynamic behavior of the charge carriers in the Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te thin film was investigated by using the photoinduced discharge characteristics (PIDC) technique.
더보기진공증착법으로 ITO (indium-tin-oxide) 기판 위에 약 470 nm 두께의 Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te 박막을 성장하였다. X-선 회절 분석에 의하여 Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te 박막의 격자상수는 CdTe (111)면에 대하여 $a$ = 6.481 Å이었고, CdTe(220)면과 CdTe(311)면에 대하여는 각각 $a$ = 6.477 Å과 $a$ = 6.335 Å이었으며, ZnTe (222)면에 대하여는 $a$ = 6.070Å이었다. 또한 CdTe와 ZnTe가 서로 혼합된 섬아연광 구조를 하고 있었으며, 그 성장방향은 (111) 방향으로 우선 성장됨을 알 수 있었다. 증착된 Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te 박막에 대하여 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 1.79 eV이었고, 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하였다가 증가하였으며, 200 $^{\circ}$C, 300 $^{\circ}$C, 400 $^{\circ}$C로 열처리한 박막의 광학적 에너지 띠 간격은 1.73 eV $\sim$ 2.23 eV이었다. Zn$_{0.12}$Cd$_{0.88}$Te 박막 내의 전하운반자들의 동역학적 거동을 광유기 방전 특성(photoinduced discharge characteristics, PIDC)법으로 조사하였다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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