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InAs/GaSb 제2형 응력 초격자 nBn 장적외선검출소자 설계, 제작 및 특성평가 = nBn Based InAs/GaSb Type II Superlattice Detectors with an N-type Barrier Doping for the Long Wave Infrared Detection
저자
김하술 (전남대학교) ; 이훈 (전남대학교) ; Brianna Klein (Center for High Technology Materials, University of New Mexico) ; Nutan Gautam (Center for High Technology Materials, University of New Mexico) ; Elena A. Plis (Center for High Technology Materials, University of New Mexico) ; Stephen Myers (Center for High Technology Materials, University of New Mexico) ; Sanjay Krishna (Center for High Technology Materials, University of New Mexico)
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발행연도
2013
작성언어
Korean
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등재정보
KCI등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
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327-334(8쪽)
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Long-wave infrared detectors using the type-II InAs/GaSb strained superlattice (T2SL)material system with the nBn structure were designed and fabricated. The band gap energy of the T2SL material was calculated as a function of the thickness of the InAs and GaSb layers by the Kronig-Penney model. Growth of the barrier material (Al0.2Ga0.8Sb) incorporated Te doping to reduce the dark current. The full width at half maximum (FWHM) of the 1st satellite superlattice peak from the X-ray diffraction was around 45 arcsec. The cutoff wavelength of the fabricated device was ∼10.2 μm (0.12 eV) at 80 K while under an applied bias of –1.4 V. The measured activation energy of the device was ∼0.128 eV. The dark current density was shown to be 1.0×10-2 A/cm2 at 80 K and with a bias −1.5 V. The responsivity was 0.58 A/W at 7.5 μm at 80 K and with a bias of −1.5 V.
더보기InAs/GaSb 제2형 응력 초격자(strained layer type II superlattice, T2SL)을 이용한 nBn 구조 장적외선 검출소자의 설계 및제작을 하였다. InAs와 GaSb 두께에 따른 T2SL 구조의 장적외선 밴드갭 에너지를 Kronig-Penney 모델을 이용하여 계산하였다. 소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 Al0.2Ga0.8Sb 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압(Vb) –1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ∼10.2 μm (∼0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른 암전류 측정으로부터 도출된 활성화 에너지는 0.128 eV로 계산 되었다.
T=80 K 및 Vb=–1.5 V에서 암전류는 1.0×10-2 A/cm2으로 측정 되었다. 흑체복사 적외선 광원을 이용한 반응도(Responsivity)는 소자 온도 80 K 및 인가전압 –1.5 V의 조건에서 0.58 A/W로 측정되었다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2022 | 평가예정 | 계속평가 신청대상 (등재유지) | |
2017-01-01 | 평가 | 우수등재학술지 선정 (계속평가) | |
2014-06-16 | 학술지명변경 | 한글명 : Applied Science and Convergence Technology -> 한국진공학회지 | KCI등재 |
2014-02-06 | 학술지명변경 | 한글명 : ASCT -> Applied Science and Convergence Technology | KCI등재 |
2014-02-05 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국진공학회지 -> ASCT외국어명 : Journal of the Koren Vacuum Society -> Applied Science and Convergence Technology | KCI등재 |
2014-01-01 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국진공학회지 -> Applied Science and Convergence Technology | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-23 | 학술지명변경 | 외국어명 : Journal of the Koren Cacuum Society -> Journal of the Koren Vacuum Society | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.12 | 0.12 | 0.15 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.13 | 0.1 | 0.328 | 0.03 |
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