SiC 매트릭스를 이용한 실리콘 양자점 초격자 박막 제조
저자
김현종(Kim, Hyun-Jong) ; 문지현(Moon, Ji-Hyun) ; 조준식(Cho, Jun-Sik) ; 장보윤(Chang, Bo-Yun) ; 고창현(Ko, Chang-Hyun) ; 박상현(Park, Sang-Hyun) ; 윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) ; 송진수(Song, Jin-Soo) ; 오병성(O, Byung-Sung) ; 이정철(Lee, Jeong-Chul)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2009
작성언어
Korean
주제어
KDC
505
자료형태
학술저널
수록면
163-166(4쪽)
제공처
다중접합 초 고효율 태양전지 제조를 위해 SiC 매트릭스를 이용한 실리콘 양자점 초격자 박막을 제조하고 특성을 분석하였다. SiC/Si_{1-x}C_x(x ~ 0.31)로 실리콘 양자점 초격자 박막을 Si과 C target을 이용한 co-sputtering법으로 초격자 박막을 제조하고, 1000?C에서 20분간 열처리를 하였다. high resolution transmission electron microscopy 사진으로 약1~7nm 크기인 양자점 생성과 분포 밀도를 확인할 수 있었으며, grazing incident X-ray diffraction (GIXRD)를 통해서 Si(111)과 beta-SiC(111)이 생성되었음을 알 수 있었다. Auger electron spectroscopy (AES)측정에서 stoichiometric SiC층과 Si-rich SiC층의 Si 원자농도 (56%, 69%)와 C 원자 농도 (44%, 31%)를 알 수 있었으며, Fourier transform infra-red spectroscopy (FTIR)측정에서 SiC 픽의 위치가 767에서 800cm^{-1}으로 이동하는 것을 알 수 있었다.
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