KCI등재
기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 소자의 항복 특성 분석 및 비교 연구 = Study of Composite channel Structure of Metamorphic HEMT for the Improved Device Characteristics
저자
최석규(Seok Gyu Choi) ; 백용현(Yong-Hyun Baek) ; 한민(Min Han) ; 방석호(Seok Ho Bang) ; 윤진섭(Jin Seob Yoon) ; 이진구(Jin Koo Rhee)
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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발행연도
2007
작성언어
Korean
주제어
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KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
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1-6(6쪽)
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4
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소장기관
본 논문에서 기존에 사용하고 있는 metamorphic high electron transistor (MHEMT)의 채널에 InP를 추가하여 제작 하였다. InP는 In0.53Ga0.47As와 비교하여 낮은 충돌 이온화 계수를 가지고 있다. 그런 특성을 MHEMT의 문제점 중의 하나인 낮은 항복전압의 개선에 이용하였다. 우리는 기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 항복 특성과 주파수 특성을 비교 하였다. 본 논문에서 InP 합성 채널 MHEMT의 on-state와 off-state 항복전압이 각각 2.4와 5.7 V가 측정 되었고 또한 cut-off 주파수와 maximum oscillation 주파수는 각각 160 ㎓와 230 ㎓가 측정 되었다. 위의 결과는 InP 합성 채널 MHEMT가 밀리미터파 대역의 전력용 소자에 이용되는데 큰 장점을 갖는 소자임을 알 수 있다.
더보기In this study, we have performed the channel modification of the conventional MHEMT (metamorphic high electron mobility transistor) to improve the breakdown characteristics. The Modified channel consists of the InxGa1-xAs channel and the InP sub channel instead of the InxGa1-xAs channel. Since InP has the lower impact ionization coefficient in comparison with In0.53Ga0.47As, we have adopted the InP-composite channel in the modified MHEMT. We have investigated the breakdown mechanism and the RF characteristics for the conventional and the InP- composite channel MHEMTs. From the measurement results, we have obtained the enhanced on and off-state breakdown voltages of 2.4 and 5.7 V, respectively. Also, the increased RF characteristics have brought about the decreased output conductance for the InP-composite channel MHEMT. The cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (fmax) for the InP-composite channel MHEMT were 160 ㎓ and 230 ㎓, respectively. It has been shown that the InP-composite channel MHEMT has the potential applications for the millimeter wave power device.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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