A New Test Algorithm for Bit-Line Sensitive Faults in High-Density Memories
저자
강동철 ; 조상복 ; Kang, Dong-Chual ; Cho, Sang-Bock
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2001
작성언어
English
주제어
자료형태
학술저널
수록면
43-51(9쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
메모리의 집적도가 올라갈수록 원치 않는 셀간의 간섭과 동시에 bit-line간의 상호 노이즈도 증가하게 된다. 그리고 높은 고장 검출율을 요구하는 고집적 메모리의 테스트는 많은 테스트 백터를 요구하게 되거나 비교적 큰 추가 테스트 회로를 요구하게 된다. 지금까지 기존의 테스트 알고리즘은 이웃 bit-line의 간섭이 아니라 이웃 셀에 중점을 두었다. 본 논문에서는 NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults)를 기본으로 한 NBLSFs(Neighborhood Bit-Line Sensitive Faults)를 위한 새로운 테스터 알고리즘을 제안한다. 그리고 제안된 알고리즘은 부가 회로를 요구하지 않는다. 메모리 테스트를 위해 기존의 5개의 셀 레이아웃이나 9개의 셀 레이아웃을 사용하지 않고 NBLSF 검출에 최소한 크기인 3개의 셀 레이아웃을 이용하였다. 더구나 이웃 bit-line에 의한 최대의 상호잡음을 고려하기 위해 테스트 동작에 refresh 동작을 추가하였다(예 $write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). 또한 고착고장, 천이고장, 결합고장, 기존의 pattern sensitive 고장, 그리고 이웃 bit-line sensitive 고장 등도 검출될 수 있음을 보여준다.
더보기As the density of memories increases, unwanted interference between cells and coupling noise between bit-lines are increased. And testing high-density memories for a high degree of fault coverage can require either a relatively large number of test vectors or a significant amount of additional test circuitry. So far, conventional test algorithms have focused on faults between neighborhood cells, not neighborhood bit-lines. In this paper, a new test algorithm for neighborhood bit-line sensitive faults (NBLSFs) based on the NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults) is proposed. And the proposed algorithm does not require any additional circuit. Instead of the conventional five-cell or nine-cell physical neighborhood layouts to test memory cells, a three-cell layout which is minimum size for NBLSFs detection is used. Furthermore, to consider faults by maximum coupling noise by neighborhood bit-lines, we added refresh operation after write operation in the test procedure(i.e.,$write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). Also, we show that the proposed algorithm can detect stuck-at faults, transition faults, coupling faults, conventional pattern sensitive faults, and neighborhood bit-line sensitive faults.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2020-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | KCI후보 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | KCI후보 |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | KCI후보 |
2011-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2005-10-17 | 학술지명변경 | 외국어명 : 미등록 -> Journal of IKEEE | KCI후보 |
2005-05-30 | 학술지등록 | 한글명 : 전기전자학회논문지외국어명 : 미등록 | KCI후보 |
2005-03-25 | 학회명변경 | 한글명 : (사) 한국전기전자학회 -> 한국전기전자학회영문명 : 미등록 -> Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers | KCI후보 |
2005-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) | KCI후보 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.3 | 0.3 | 0.29 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
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