KCI우수등재
SCOPUS
PECVD of Blanket TiSi₂ on Oxide Patterned Wafers
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1992
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
153-161(9쪽)
제공처
C_(54)Ti-silicide(TiSi₂)의 증착 온도를 낮추고 챔버내에서 표면처리를 가능하게 하기 위하여 플라즈마를 고진공장치에 부착시켰다. SiH₄와 TiCl₄를 이용하여 증착시킨 Ti-silicide는 14~25 uohm-㎝의 낮은 저항을 가지고 있었다. 실험변수가 silicide의 성장속도와 이 때 발생하는 기판 실리콘의 소모(Silicon Consumption)에 미치는 영향에 대한 연구는 SiH₄가 실리사이드 형성에 참여하는 주요한 성분이며, 기판 실리콘은 silicide 형성에 참여하지 않고 소모됨을 보여주고 있었다. 또한 실리콘 소모에 주요한 영향을 미치는 인자는 가스조성과 증착온도였다. SiH₄를 6 sccm에서 9 sccm으로 증가시켰을 경우는 실리콘 소모가 1500 Å/min에서 30 Å/min 이하로 감소하였고, 온도를 650℃에서 590℃로 낮추었을 경우에는 실리콘 소모가 일어나지 않고 균일한 두께의 TiSi₂가 형성되었다. 마지막으로 기판 실리콘 소모에 SiH₄가 미치는 영향을 이해하기 위하여 실리콘 소모에 대한 반응 모델을 고려하였다.
더보기A plasma has been used in a high vaccum, cold wall reactor for low temperature deposition of C_(54) TiSi₂ and for in-situ surface cleaning prior to silicide deposition. SiH₄ and TiCl₄ were used as the silicon and titanium sources, respectively. The deposited films had low resistivities in the range of 15~25 uohm-cm. The investigation of the experimental variables' effects on the growth of silicide and its concomitant silicon consumption revealed that SiH₄ and TiCl₄ were the dominant species for silicide formation and the primary factors in silicon consumption were gas composition ratio and temperature. Increasing silane flow rate from 6 to 9 sccm decreased silicon consumption from 1500 A/min to less than 30 A/min. Furthermore, decreasing the temperature from 650 to 590℃ achieved blanket silicide deposition with no silicon consumption. A kinetic model of silicon consumption is proposed to understand. the fundamental mechanism responsible for the dependence of silicon consumption on SiH₄ flow rate.
더보기서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)