SCOPUS
SCIE
Growth of ZnO thin film on graphene transferred Si (100) substrate
저자
Lee, Aram ; Kim, Geonyeong ; Yoo, Sun Jong ; Cho, In Sun ; Seo, Hyungtak ; Ahn, Byungmin ; Yu, Hak Ki
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2016
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
68-72(5쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>Growth of ZnO thin film on conventional Si (100) substrate using atomically thin graphene as a buffer layer has been studied. The graphene buffer layer was synthesized by Cu-catalyzed chemical vapor deposition method and transferred on Si (100) using well-established polymer coating and Cu etching techniques. The ZnO film with (0002) preferred orientation was developed on graphene buffered Si (100) compared to ZnO film grown on Si (100) directly, which showed random orientation distribution. The graphene layer acts as not only lattice matching with ZnO but also diffusion barrier between ZnO and Si substrate, resulting in high electron mobility and photoluminescence intensity of ZnO film.</P> <P><B>Highlight</B></P> <P> <UL> <LI> ZnO film grown on Si (100) substrate using high-quality monolayer graphene as a buffer layer </LI> <LI> ZnO film with (0002) preferred orientation was developed on graphene buffered Si (100). </LI> <LI> The graphene layer acts as efficient diffusion barrier between ZnO and Si substrate. </LI> </UL> </P>
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