mm과 MMIC 전력증폭기 설계 연구 = Design of MMIC Power Amplifier for mm wave
저자
발행기관
학술지명
산업기술논문집(Journal of the Industrial Technology Research Institute)
권호사항
발행연도
1998
작성언어
Korean
KDC
560.000
자료형태
학술저널
수록면
81-89(9쪽)
제공처
소장기관
본 논문에서는 AlGaAs/InGaAs/GaAs계의 전력용 PM-HEMT와 직사각형 나선 인덕터 및 MIM 캐패시터를 우리실험실에서 제작하고 이를 이용하여 mm파 대역의 MMIC 2단 전력 증폭기를 설계하였다. PM-HEMT 제작 결과, 총 게이트폭 0.12 mm∼1.28 mm에서 포화 전류는 40 mA∼230 mA, 35 GHz에서의 MAG는 9.2dB∼2.3dB, f_T는 45∼23 GHz를 얻었다. MMIC 전력증폭기의 매칭을 위해 제작된 직사각형 나선인덕터의 경우 0.2∼0.78 nH를, MIM 캐패시터의 경우 0.18 pF∼2.16 pF를 얻었다. 또한, 35 GHz 대역의 50Ω전송선로를 제작한 결과 Insertion Loss는 0.3 dB 이하를, 입력 반사계수는 -20 dB 이하를 얻었다. MMIC 2단 전력증폭기를 설계한 결과, 35 GHz에서 S_21 10.82 dB, S_11은 -16.27 dB, S_22는 -10.78 dB를 얻었으며, 칩 크기는 1.4 mm ×0.8 mm이었다.
A GaAs MMIC power amplifier for mm-wave was designed using the fabricated AlGaAs/InGaAs/GaAs power PM-HEMTs, rectangular spiral inductors and Si_3N_4 MIM capacitors at our Lab. The saturation current of 40 mA∼230 mA, MAG of 9.2dB∼2.3dB at 35 GHz and f_T of 45∼23 GHz were obtained from the fabricated PM-HEMTs with the total gate widths of 0.12∼1.28 mm. Inductances of 0.2∼0.78 nH and capacitances of 0.18 pF∼2.16 pF were obtained from the fabricated rectangular spiral inductors and MIM capacitors, respectively. Also an insertion loss of below 0.3 dB and input return loss of -20 dB were obtained from the fabricated 50Ω transmission line at the frequency of 35 GHz. Finally, S_21 of 10.82 dB, S_11 of -16.27 dB and S_22 of -10.78 dB were obtained from the designed MMIC 2-stage power amplifier with the chip size of 1.4 mm×0.8 mm.
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