SCIE
SCOPUS
KCI등재
Structural and Optical Characterization of Thick GaN Films Grown by the Direct Reaction of Metal Ga and NH3 in CVD Reactor
저자
Kee, Suk Nahm (School of Chem. Eng. And Tecnology) ; Yang, Seung Hyun (School of Chem. Eng. And Tecnology) ; Ahn, Sang Hyung (Dept. of Scemiconductor Science and Technology, Chonbuk National Univ.)
발행기관
학술지명
Korean Journal of Chemical Engineering(The Korean Journal of Chemical Engineering)
권호사항
발행연도
2000
작성언어
English
KDC
570.000
등재정보
SCIE,SCOPUS,KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
105-110(6쪽)
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Thick GaN films were grown on sapphire by the direct reaction of metallic Ga and ammonia in a conventional RF induction heated chemical vapor deposition reactor. The crystalline and optical qualities of the thick GaN were evaluated as functions of the distance between sapphire substrate and Ga source and growth temperature. For thick GaN grown at the position of 3.5 cm away from the Ga source, the FWHM for the (0002) peak of X-ray diffraction (XRD) curve was about 684 arcsec. The growth rate of the thick GaN film was about 18 ㎛/h at this growth condition. The correlation between structural and optical properties of thick GaN films suggested that deep level yellow luminescence (YL) had a close relation with (1010) and (1011) planes developed in the growth. It was speculated that the emission of YL is mainly due to the formation of deep gap state in the band gap by Ga vacancy and impurities trapped at the domain boundary with (1010) and (1011) atomic facets.
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