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SCOPUS
NH₃/ O₂산화법으로 성장한 산화막의 특성평가
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학술지명
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발행연도
1998
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
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수록면
82-87(6쪽)
제공처
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O₂기체에 NH₃/O₂기체를 첨가하여 실리콘 표면에 산화막을 형성하는 NH₃/O₂산화법에 의한 산화 공정시 반응석영관 외부에 방출하는 기체는 N₂, O₂및 H₂O이며 극소량의 CO₂, NO 및 NO₂가 검출되었다. 두 종류의 산화제(O₂및 H₂O)가 산화에 기여하며 성장률은 NH₃및 O₂의 부분압과 온도에 의해 결정되며, 그 기울기는 건식 및 습식 산화법의 중간에 평행하게 위치함을 확인하였다. Auger Electron Spectroscopy(AES) 측정결과 NH₃/O₂산화막은 정확한 SiO₂의 화학량론을 가지며 SiO₂/Si 계면에 발생하는 결함을 억제하며 고정전하의 발생을 최소화함을 알 수 있었다 . NH₃/O₂ 산화막(470Å)의 항복전압을 57.5 Volt이며, C-V특성곡선을 측정한 결과 플랫밴드 전압은 0.29 Volt이며 곡선의 형태는 이상곡선과 일치하였다.
더보기In the oxidation process of the NH₃/O₂ oxidation method, adding NH₃ gas to O₂ gas, the detected outlet gases in the reaction quartz chamber are N₂, O₂and H₂O and in addition, a very small quantity of CO₂, NO and NO₂ are detected. Two kinds of species (O₂ and H₂O) contribute to oxidation, so the growth rate is determined by oxidation temperture and by also partial pressure of the NH₃ and O₂ gases. The slop of growth rate is identified to be medial and in parallel between that of the dry and wet oxidation. Auger electon spectroscopy (AES) indicates that NH₃/O₂ oxide film has a certain stoichiometry of SiO₂, this oxidation method restrains the generation of defects in the SiO₂/Si interface, minimizing fixed charges. The breakdown voltage of NH₃/O₂ oxide film (470Å) is 57.5 volts, and the profile of the C-V curve including flat band voltage (0.29 volts) agree with the ideal curve.
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