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SCIE
SCOPUS
Phase analysis and thermoelectric properties of Zn<sub>1−<i>x</i></sub>M<i><sub>x</sub></i>O (M= Al, Ga) samples
저자
Jung, Kwang‐ ; Hee ; Choi, Soon‐ ; Mok ; Lim, Chang‐ ; Hyun ; Seo, Won‐ ; Seon ; Park, Hyung‐ ; Ho
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2012
작성언어
-주제어
등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1507-1510(4쪽)
제공처
소장기관
<P>Thermoelectric oxides have been regarded as promising materials for power generation especially at high temperature. Among them, ZnO systems have been reported as useful <I>n</I>‐type thermoelectrics because of high Seebeck coefficients and electrical conductivities at high temperature. In this study, we investigated polycrystalline ZnO systems doped with different donor ions Al<SUP>3+</SUP> and Ga<SUP>3+</SUP>. We investigated reasons of different solution limits and secondary phases and microstructures between these two donor‐doped cases. Thermoelectric properties also showed different tendency between Al<SUP>3+</SUP>‐ and Ga<SUP>3+</SUP>‐doped ZnO systems because of their different structural properties. As a result, a maximum power factor value 9.18 × 10<SUP>−4</SUP> W/mK<SUP>2</SUP> at 1050 K was obtained in Zn<SUB>0.98</SUB>Ga<SUB>0.02</SUB>O composition. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.</P>
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