SCOPUS
KCI등재
DMEAA를 사용해 CVD법으로 증착한 알루미늄 박막의 증착속도에 관한 수소 효과 = Hydrogen Effect on Deposition Rate of Aluminum Thin Films from Chemical Vapor Deposition Using Dimethylethylamine Alane
저자
장태웅 ; 이화성 ; 백종태 ; 안병태 ; Jang, Tae-Ung ; Lee, Hwa-Seong ; Baek, Jong-Tae ; An, Byeong-Tae
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1998
작성언어
Korean
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
131-134(4쪽)
제공처
소장기관
$SiO_{2}$ 기판과 dimethylethylamine alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착전 전처리 가스 종류와 수소 플라즈마 처리에 따른 증착속도의 차이와 미세구조에 대하여 연구하였다. TiN기판에 증착된 알루미늄의 증착속도는 증착전 수소 가스에 의한 전처리한 경우 아르곤이나 헬륨에 의한 전처리에 비해 빠른 증착속도를 나타내었다. 이르곤 플라즈마 전처리나 플라즈마 전처리 하지 않고 $SiO_{2}$기판에 알루미늄을 증착하였을 경우에 비해 수소 플라즈마 전처리에 의해 알루미튬증착시 잠복기(incubation time)가 감소하였으며 치밀한 미세조직을 얻을 수 있었다.
더보기The deposition rate and surface morphology of Al films deposited by MOCVD have been studied on the $SiO_{2}$ and TiN(60nm/Si) substrates. A1 films were deposited with the pyrolysis of dimethylethylamine alane(DMEAA). When A1 was deposited on Ti& substrate without carrier gas, Al deposition rate increased with H\ulcorner pre- treatment. The $H_2$ gas enhances the CVD reaction at the substrate surface. When Al was deposited on $SiO_{2}$ substrate, $H_2$ plasma pretreatment reduced Al incubation time and made a dense Al film compared with Ar plasma pre- treatment or no pretreatment.
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