KCI등재
SCIE
SCOPUS
Mathematical modeling based on contact mechanism due to elastic and plastic deformation of pad asperities during CMP
저자
HyunJinKim (Pusan National University) ; 신소민 (부산대학교) ; Dasol Lee (Pusan National University) ; 정해도 (부산대학교) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY(Journal of Mechanical Science and Technology)
권호사항
발행연도
2020
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
289-300(12쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
Technologies in semiconductor industry have been developed into a threedimensional multilayer wiring for high integration of devices. Chemical mechanical planarization (CMP) process is one of the key technologies for achieving multilayer wiring, which enables global planarization. In addition, highly integrated devices can be realized by increasing the depth of focus in the photolithography process. However, in the inter-layer dielectric (ILD) CMP of the transistor, the uppermost oxide layer has the step due to the arrangement of the devices.
The ideal material removal mechanism is to gradually remove materials from the top of the step height which allows for global planarization. However, in the CMP of the patterned wafers, simultaneous polishing of the upper and lower layers occurs when the step height reaches a certain height. This means that the polishing is strongly dependent on the structural characteristics of the pattern. Especially, the difference in the material removal rate depending on the pattern density acts as a constraint in terms of device layout. Therefore, it is essential to develop an accurate prediction model of material removal rate as a function of pattern density, size and arrangement. This study aims to define the mathematical planarization model according to contact mode between a polishing pad and patterned wafer. Considering that the real contact area between the actual polishing pad and the wafer is about 1 %, the mathematical model is derived based on the microscopic deformation of the pad asperities, not the macroscopic deformation of the bulk pad. Finally, we describe the verification between the theoretical material removal rate model and step height reduction and the actual CMP results. The root mean square error of the upper layer material rate, the lower material removal rate, and the step height reduction were 24.59 nm/min, 22.03 nm/min and 22.6 nm, respectively. Compared with the previous studies, the new model of this study improved the error by up to 50.9 %.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2012-11-05 | 학술지명변경 | 한글명 : 대한기계학회 영문 논문집 -> Journal of Mechanical Science and Technology | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-19 | 학술지명변경 | 한글명 : KSME International Journal -> 대한기계학회 영문 논문집외국어명 : KSME International Journal -> Journal of Mechanical Science and Technology | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.04 | 0.51 | 0.84 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.74 | 0.66 | 0.369 | 0.12 |
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