속도 향상을 위한 ISL의 설계 = Design of ISL(Intergrated Schottky Logic)for speed improvement
저자
장창덕 (동의대학교 대학원 전자공학과) ; 이용재 (동의대학교 대학원 전자공학과) ; 이정석 (동의대학교 공과대학 전자공학과)
발행기관
東義大學校 産業技術開發硏究所(Research Institute of Industrial Technology Development Dongeui University)
학술지명
産業技術硏究誌(THE RESEARCH INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT)
권호사항
발행연도
1999
작성언어
Korean
KDC
530.9
자료형태
학술저널
수록면
239-244(6쪽)
제공처
In order to remove minority carries of the base region at changing signal in conventional bipolar logic circuit, we made transistor which is created by NPN transistor shortened buried layer under the Base region and PNP transistor which is merged in base, epi layer and substrate and designed the Ring-Oscillator for measuring transmission time-delay per gate as well. The structure of logic cell consists of the vertical NPN transistor and merged PNP transistor. For getting data of device simulation, we extracted characteristic parameter with analyzing current-voltage characteristic of vertical NPN transistor and merged PNP transistor. In the result, we found that carriers which are coming into intrinsic base from emitter and the portion of edge are relatively a lot, so those make base currents a lot and gain is low with a few of collector currents because of cutting the buried layer of collector a half at being relatively small emitter are of NPN transistor comparing of conventional junction area. Merged PNP transistor's currents are low because base width is wide and the difference of emitters density and base's density is small. We get 200mV amplitude of logic voltage, 211nS the minimum of transmission delay-time, and 7.26nS the minimum of transmission delay-time per gate in AC characterist output of Ring-Oscillator connected gate.
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