InGaAsP/InP 양자우물 구조의 물성연구 = A Study on the Physical Properties of InGaAsP/InP Quantum Well Grown by LPE
저자
김채옥 (자연과학대학 물리학과) ; 오차환 (자연과학대학 물리학과) ; 문승준 (자연과학대학 물리학과) ; 김의훈 (자연과학대학 물리학과)
발행기관
漢陽大學校 自然科學硏究所(The Research Institute for Natural Sciences Hanyang University)
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
KDC
404
자료형태
학술저널
수록면
75-81(7쪽)
제공처
소장기관
Liquid phase epitaxy(LPE)법에 의해 InGaAsP quantum well(QW)구조를 성장하여 특성을 photoluminescence(PL)와 double crystal rocking curve(DCRC)를 이용하여 조사하였다.
PL 측정결과, 상온 PL의 경우 well특성의 피크 에너지는 0.97eV이 FWHM은 80.41meV이며, 저온PL결과 well특성의 피크 에너지는 1.025eV이고 FWHM은 33meV이었다.
여기광의 세기를 증가시킴에 따라 PL 세기가 비교적 선형적으로 급준한 증가를 보이고 있어 well발광 특성임을 관찰할 수 있었다.
DCRC결과, 격자부정합도가 0.32이고 한 쌍의 주기는 600Å이며 전형적인 Quantum Well특성의 위성피크를 관찰할 수 있다.
In this work, We have grown the InGaAsP/InP quantum well by liquid phase epitaxy(LPE) and its some physical properties have been studied by photoluminescence(PL) and double crystal x-ray rocking curve(DCRC). In low temperature PL, the characteristic emission peak of well is observed at 1.025eV with a full-with-half-maximum of 33meV. As we increase the excitation intensities the emission intensities are drastically increased.
From the DCRC analysis, we know that lattice mismatch between epitaxial layer and substrate is very low with a value of 0.32.
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