Reaction sintering behavior and electrical properties of a Ga-doped ITO system
저자
Lee, Jung-A. ; Park, Hyung-Ryul ; Lee, Joon-Hyung ; Heo, Yeong-Woo ; Lee, Hee Young ; Kim, Jeong-Joo
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2019
작성언어
-주제어
자료형태
학술저널
수록면
20678-20683(6쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>In this study, we investigated the characteristics of densification, phase formation, and electrical properties during reaction sintering when a Ga-doped ITO, with 10 at% Sn, served as the target material. Results showed that Ga doping enhanced the densification of ITO at a relatively low sintering temperature. Interestingly, the 1 at% Ga- and 20 at% Ga-doped samples showed shrinkage values of 19.5% and 23.0%, respectively, despite the fact they both starting shrinking at the same temperature. In addition, the second phase Ga<SUB>3-<I>x</I> </SUB>In<SUB>5+<I>x</I> </SUB>Sn<SUB>2</SUB>O<SUB>16</SUB> was formed at 5 at% Ga-doped ITO. Moreover, the ITO lattice parameters decreased up to 40 at% Ga doping, since the ionic radius of Ga<SUP>3+</SUP> is smaller than that of In<SUP>3+</SUP>. Furthermore, as the Ga concentration increased, the carrier concentration and mobility decreased and resistivity increased. These modifications are thought to result from an increasing quantity of the Ga<SUB>3-<I>x</I> </SUB>In<SUB>5+<I>x</I> </SUB>Sn<SUB>2</SUB>O<SUB>16</SUB> s phase and the corresponding resistivity increase, both of which occur as a function of increasing Ga concentration.</P>
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