혼합소스 HVPE 법에 의한 InGaN 마이크로 구조의 상 변화 = Structural Phase Variation of InGaN Micro-structures Grown by Mixed-source HVPE

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In this paper, we report a structural change in InGaN
micro-structures grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy.
Hexagonal nanorods, bunched with many submicron-sized legs and
tetrapod-shaped InGaN micro-structures are grown on r-plane
sapphire, c-plane sapphire, and Si (111) substrates, respectively.
As the growth temperature is increased, the overall shape of the
InGaN structures changes from clusters of some needle-like legs to a
bunch shape of many legs with a thicker and hexagonal edge. The
grown InGaN structures were analyzed by using X-ray photoelectron
spectroscopy to estimate the composition of the InGaN ternary
crystal alloy. The indium mole fraction of the InGaN structures
grown at 650 $^\circ$C, 700 $^\circ$C, 750 $^\circ$C, and 800
$^\circ$C were 44 \%, 37 \%, 27 \%, and 80 \%, respectively.

국문 초록 (Abstract)

혼합소스 HVPE (hydride vapor phase epitaxy) 방법을 이용하여 InGaN
마이크로 구조를 형성하였다. InGaN 마이크로 구조는 r-사파이어,
c-사파이어 그리고 Si (100) 기판을 이용하여 성장하였다. 성장온도가
증가함에 따라 InGaN 구조들의 전체적인 형태는 몇 개의 뾰족한 다리가
뭉쳐진 형태 (torpedo)에서 육각 기둥 모양의 두꺼운 다리들이 많이
뭉쳐진 형태 그리고 최종적으로는 4 개의 두꺼운 육각 기둥 다리를
가지는 tetrapod 형태로 변하는 것을 확인하였다. 성장된 InGaN 구조들은
XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) 측정결과 성장온도에 따라 In의
조성비가 각각 44 \% (650 $^\circ$C), 37 \% (700 $^\circ$C), 27 \%
(750 $^\circ$C) 그리고 80 \% (800 $^\circ$C) 정도임을 알 수 있었다.

참고문헌 (Reference)

• 1 S. Strite, 10 : 1237-, 1992
• 2 V. Srivastava, 275 : 2367-, 2005
• 3 S. M. Abrarov, 45 : S577-, 2004
• 4 H. M. Kim, 45 : S701-, 2004
• 5 S. W. Kim, 45 : L803-, 2004
• 6 N. Duxbury, 76 : 1600-, 2000
• 7 A. F. Wright, 66 : 3051-, 1995
• 8 M. D. McCluskey, 72 : 2725-, 1998
• 9 K. S. Park, 41 : 7317-, 2002
• 10 H. M. Kim, 241 : 2802-, 2004
• 11 H. S. Ahn, 243 : 178-, 2005
• 12 B. S. Simpkins, 290 : 115-, 2006
• 13 B. S. Xu, 291 : 34-, 2006
• 14 S. Kim, 49 : S741-, 2006
• 15 W. I. Park, 46 : L1067-, 2005
• 16 S. S. Kim, 46 : S214-, 2005
• 17 S. Nakamura, "The Blue Laser Diode" Springer 1997
• 18 Chinkyo Kim, "Structural Investigation of GaN Nanograins Nucleated on a Sapphire Substrate" 한국물리학회 48 (48): 1321-1324, 2006
• 19 S.-Y. Kwon, "Growth of In-rich InGaN/GaN Nanostructures by Metal-organic Chemical Vapor Deposition and their Optical Properties" 한국물리학회 46 (46): 130-133, 2005
• 20 J. Y. Kim, "Catalytic Growth and Optical Characterization of ZnO Nanowire on Silicon and Sapphire" 한국물리학회 44 (44): 137-139, 2004