Boss구조 압력센서의 보상패턴 설계 및 식각공정 연구 = The Design and Etching of Compensation Patterns for the Boss Structure of Pressure Sensors
저자
김병상 (대구산업정보대학 정보통신계열)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2003
작성언어
Korean
KDC
041.000
자료형태
학술저널
수록면
189-194(6쪽)
제공처
The etching of the convex corner during anisotropy etching of (100)-silicon in aqueous KOH is occurred by the etching rate of crystal planes. The undercutting of convex corners during the forming of boss structure by anisotropy etching can be reduced or prevented by adding compensation structures to the convex corners on the etching mask. We have designed the square patterns for the compensation structure for the forming of center boss and simulated aqueous KOH 24.5% at 80℃ using the IntelliSuite AnisE Tool. The results of simulation were shown that the compensation patterns can be prevent from the convex corner etching, did not affect to the position of piezoresister when the size of that is 350um-380um. For the evaluation of the result of the simulation, the silicon etching experiment using the mask of compensation patterns was carried out. In the case of the compensation pattern sizes above the 350um, the corner of convex was etched after the etching of 400um. Therefore, We knew that the square pattern size for compensation pattern must be above minimum 350um.
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