KCI등재
교류 구동 LED 드라이버 IC에 관한 연구
저자
전의석(Eui-Seok Jeon) ; 안호명(Ho-Myoung An) ; 김병철(Byungcheul Kim) 연구자관계분석
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2021
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Korean
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학술저널
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275-283(9쪽)
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본 연구에서는 저내압 반도체 공정으로 제작 가능한 교류 구동 LED 드라이버 IC를 설계하여, 그 성능들에 대한 시뮬레이션을 수행하였다. 교류 220V에서 직접 구동하기 위한 드라이버 IC를 제작하기 위하여 500V 이상의 항복전압을 만족하는 반도체 제조공정이 필요하다. 고내압 반도체 제조공정은 일반적인 저내압 반도체 공정보다 매우 높은 제조비용을 요구한다. 따라서 낮은 내압의 소자를 구현하는 반도체 공정기술로도 제작할 수 있도록 LED 드라이버 IC를 직렬로 설계하였다. 이는 입력전압이 고전압이라도 각 LED 블록마다 전압이 나누어 인가되는 것을 가능하게 한다. LED 조명회로는 220V에서 96%의 역률을 나타내고 있다. pnp 트랜지스터를 이용한 역률 개선 회로에서는 99.7%의 아주 높은 역률을 얻을 수 있으며, 입력전압의 변동과 관계없이 매우 안정된 동작을 보여주었다.
더보기In this study, a driver IC for an AC-powered LED that can be manufactured with a low voltage semiconductor process is designed and the performances of the driver IC were simulated. In order to manufacture a driver IC that operates directly at AC 220V, a semiconductor manufacturing process that satisfies a breakdown voltage of 500V or higher is required. A semiconductor manufacturing process for a high-voltage device requires a much higher manufacturing cost than a general semiconductor process for a low-voltage device. Therefore, the LED driver IC is designed in series so that it can be manufactured with semiconductor process technology that implements a low-voltage device. This makes it possible to divide and apply the voltage to each LED block even if the input voltage is high. The LED lighting circuit shows a power factor of 96% at 220V. In the pnp transistor circuit, a very high power factor of 99.7% can be obtained, and it shows a very stable operation regardless of the fluctuation of the input voltage.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | KCI후보 |
2014-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.32 | 0.32 | 0 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0 | 0 | 0 | 0.1 |
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