DRAM의 비트 라인 간 커플링 노이즈를 최소화한 오픈 비트 라인구조 = A new bit line structure minimizing coupling noise for DRAM
저자
오명규 ; 조경록 ; 김성식 ; Oh, Myung-Kyu ; Jo, Kyoung-Rok ; Kim, Sung-Sik
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2004
작성언어
Korean
주제어
등재정보
구)KCI등재(통합)
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
17-24(8쪽)
제공처
소장기관
본 논문에서는 비트라인간의 커플링 캐패시터에 의해서 발생하는 커플링 노이즈를 최소화 한 비트 라인구조를 제시하였다. DRAM의 비트 라인간에는 반드시 커플링 캐패시터가 존재한다. 서브마이크론 공정에서는 비트 라인간의 간격이 줄어듦으로써 비트 라인간의 커플링 캐패시터는 증가하게 되고 이 커플링 캐패시터에 의해서 크로스 토크잡음이 급격히 증가한다. 본 논문에서는 비트라인간의 크로스 토크잡음을 줄이기 위해 인접한 비트 라인에 사용하는 금속배선의 층을 서로 다르게 함으로써 비트라인간의 캐패시터를 줄인 새로운 비트 라인구조를 제안하고 검증한다.
더보기This paper describes a novel bit line structure to minimize coupling noise induced by coupling capacitance between bit lines. In DRAMs coupling capacitance is inherently present bit lines. As in submicron process the bit line space gets narrower. bit line coupling capacitance increases and this increased coupling capacitance sharply raises cross-talk noise. In this paper using different layers of metal for adjacent bit lines has been tested to reduces cross-talk noise and a novel bit line structure capable of reducing capacitance is introduced and verified.
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