SCIE
SCOPUS
KCI등재
A NEW CVD REACTOR FOR SEMICONDUCTOR FILM DEPOSITION
저자
Kim, Su Ku (Department of Chemical Engineering, Seoul National Univ.) ; Stassinos, Elias C (Department of Chemical Engineering, Seoul National Univ.) ; Lee, Hong Hie (Univ. of Florida)
발행기관
학술지명
Korean Journal of Chemical Engineering(The Korean Journal of Chemical Engineering)
권호사항
발행연도
1994
작성언어
English
KDC
570.000
등재정보
SCIE,SCOPUS,KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
67-73(7쪽)
제공처
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The concept and design of a new chemical vapor deposition (CVD) reactor is presented for both epitaxial and nonepitaxial film deposition in semiconductor processing. The reactor is designed in such a way that a stagnant semiconductor source fluid of uniform concentration is provided for the film deposition without causing free or forced convection. The supply of the source gas for the deposition is by diffusion through a porous material such as quartz or graphite. Compared to the low pressure CVD (LPCVD) reactor with mounted wafer configuration, the new reactor should give a better film thickness uniformity and about an order of magnitude reduction in the amount of the source gas required. Further, at least for polycrystalline silicon deposition, the deposition rate can be much higher than is currently practiced with the LPCVD reactor. Design equations for the reactor are given. Details on the design for the polycrystalline silicon deposition are also given.
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