이온 질량 주입이 금속 유도 측면 결정화에 미치는 영향 = Effect of Ion Mass Doping on Metal-Induced Lateral Crystallization
저자
김태경 ; 김기범 ; 윤여건 ; 김창훈 ; 이병일 ; 주승기 ; Kim, Tae-Gyeong ; Kim, Gi-Beom ; Yun, Yeo-Geon ; Kim, Chang-Hun ; Lee, Byeong-Il ; Ju, Seung-Gi
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
주제어
등재정보
구)KCI등재(통합)
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
25-30(6쪽)
제공처
소장기관
금속 유도 측면 결정화에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작에서 이온 질량 주입이 MILC 속도 및 거동에 미치는 영향을 분석하였다. 비정질 실리콘에 도펀트를 주입하거나 이온충돌을 가하면 MILC의 속도가 50% 이상 감소하고 MILC선단이 불균일 해졌다. IMD에 따른 비정질 실리콘 박막의 성질 변화를 분석하기 위하여 자외선 반사도 및 표면 거칠기를 관찰하였고, 이온 충돌에 의한 표면 거칠기의 증가가 MILC 속도 감소와 균일도에 영향을 주는 것으로 나타났다.
더보기Ion mass doping method has been implemented for the fabrication of large area electronic devices such as TFT-LCD. In this work, the effect of ion mass doping on the velocity and the behavior of MILC was investigated. When amorphous silicon was either doped or bombarded by accelerated ions, MILC velocity was reduced by over 50% and the front edge of MILC became coarse. In order to analyze the dependence of silicon film's properties on ion mass doping, ultraviolet reflectance and sulfate roughness were investigated. Both the velocity and the behavior of MILC were found to be related with the increase of surface roughness by ion bombardment.
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