실리콘의 비등방성 부식에 있어서 하부부식에 대한 실험적 고찰 = An Experimental Study on the Undercutting in the Anisotropic Etching of the Silicon
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발행연도
1987
작성언어
Korean
KDC
050
자료형태
학술저널
수록면
21-31(11쪽)
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We experimentally studied the undercutting in relation to the misorientatin in the anisotropic etching of the (100) and (110) oriented silicon. The mask patterns were consists of convex(270˚) and concave(90˚) corners or rectangle. The etching has been carried out using a KOH-2-isopropanol-H₂O solution at 80℃. The etch rate was 1.55um/min and 0.85um/min for the (100) and (110) silicon, respectively. In the case of V-groove etching, the undercutting was observed over the whole region except for misorientatin angles(0˚and 90˚) at which the mask pattern parallels {111} planes and only at the convex corner of mask pattern in the case of zero-degree misorientation. In the case of U-groove etching, the undercutting was observed at the convex corner and over the region except for the corners of mask pattern paralleling {111} planes in the case of the misorientation angles(0˚, 35.3˚, 54.7˚ and 90˚) at which the mask pattern parallels {111} planes and over the whole region of make pattern in the other misorientation angles. The proceeding of undercutting in the V-and U -groove etching ends at the horizontal self-stop points(HSSP) which are made by {111} planes without regard to the misorientation. The plane structure of which the final etched pattern is composed of {111} planes is rectangular in the V-groove etching and hexagonal in the U-groove etching regardless of misorientation angle and mask pattern. The ratio of etched depth and width in the final etched pattern was 0.707 and 0.354 in the V-and U-groove etching, respectively.
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