電力用 MOSFET의 溫度特性에 관한 硏究 = A Study on the Thermal Behaviour of Power MOSFET
저자
李愚宣 (朝鮮大學校 電氣工學科)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1984
작성언어
Korean
주제어
KDC
500
자료형태
학술저널
수록면
99-112(14쪽)
제공처
n-Channel 실리콘 VDMOSFET의 온도 안정성에 대해서 주로 연구가 되었다. 이것의 능동영역에서 Drain 전류는 온도 증가와 함께 증가하거나 감소한다.
높은 영역의 Gate 전압에서, Gate 전압의 감소는 역전도층에서 전자이동도의 감소를 뜻한다. 273 ∼ 448˚K온도 영역에서, 유효 이동도는 온도와 함께 변동함을 알았다. 이것은 온도와 함께 증가하는 Gate Threshold 전압의 감소에 의해서 증가한다. 이것의 Crossover 점은 Gate전압에 의해서 그것의 상한선 및 하한선을 알 수 있다.
부성저항 특성이 Drain 전압전류 출력특성 곡선에서 얻어지는데, 이것은 DC와 Pulse 측정의 온도 영역에서 일어난다. 등온상태에서 이것의 전압, 전류, 출력 특성은 일반적으로 포물선 형태로 된다.
모토로라 회사에서 생산되는 Power VDMOSFET는 전압 500V에 65A(Pulse)까지 실용화 되었다. 이것은 싸이리스터와 더불어 전기기기등의 제어회로에 충분한 이용 가치가 있음을 뜻한다.
The thermal stability of the n-channel silicon VDMOSFET has been investigated. In the active operating region it is found that the drain current may increase or decrease with rising temperature, at a given drain voltage. The decrease at higher gate voltages is due to the reduction of the electron mobility in the inversion layer. Over a temperature range from 273∼448°k, the effective mobility is found to vary inversely with temperature. The increase is due to the reduction of gate threshold voltage with increasing temperature. The crossover in this behavior occurs at a gate voltage which depends on the device threshold voltage. The negative resistance sometimes observed in the output I-V drain characteristic is proved to be thermal in origin the aid of DC and pulse measurements over a range of temperatures. The output I-V isotherms were found to be hyperbolic in nature.
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