SCOPUS
SCIE
Reduction of Line Edge Roughness of Polystyrene-<i>block</i>-Poly(methyl methacrylate) Copolymer Nanopatterns By Introducing Hydrogen Bonding at the Junction Point of Two Block Chains
저자
Lee, Kyu Seong ; Lee, Jaeyong ; Kwak, Jongheon ; Moon, Hong Chul ; Kim, Jin Kon
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2017
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
31245-31251(7쪽)
제공처
<P>To apply well-defined block copolymer nanopatterns to next generation lithography or high-density storage devices, small line edge roughness (LER) of nanopatterns should be realized. Although polystyrene-block-poly(methyl methacrylate) copolymer (PS-b-PMMA) has been widely used to fabricate nanopatterns because of easy perpendicular orientation of the block copolymer nanodomains and effective removal of PMMA block by dry etching, the fabricated nanopatterns show poorer line edge roughness (LER) due to relatively small Flory-Huggins interaction parameter (chi) between PS and PMMA chains. Here, we synthesized PS-b-PMMA with urea (U) and N-(4-aminomethyl-benzyl)-4-hydroxymethyl-benzamide (BA) moieties at junction of PS and PMMA chains (PS-U-BA-PMMA) to improve the LER. The U-BA moieties serves as favorable interaction (hydrogen bonding) sites. The LER of PS line patterns obtained from PS-U-BA-PMMA was reduced similar to 25% compared with that obtained from neat PS-b-PMMA without BA and U moieties. This is attributed to narrower interfacial width induced by hydrogen bonding between two blocks, which is confirmed by small-angle X-ray scattering. This result implies that the introduction of hydrogen bonding into block copolymer interfaces offers an opportunity to fabricate well-defined nanopatterns with improved LER by block copolymer self-assembly, which could be a promising alternative to next-generation extreme ultraviolet lithography.</P>
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