KCI등재
부상응고법에 의한 실리콘 응고에 관한 연구 = A study on solidification of silicon by floating technique
저자
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
30-35(6쪽)
제공처
소장기관
부상응고법은 액상 받침 재료 위에 용융 재료를 띄워서 응고시키는 방법으로 판유리 제조가 대표적이며, 이러한 방법을 이용하여 Si 판재를 얻기 위한 실험을 하였다. 본 연구에서는 액상받침재료에 요구되는 물리 화학적인 성질을 고려하여 3원계 산화물 상태도를 조사한 후, 적절한 액상받침재료로 50 wt% $SiO_2$- 2l wt% $A1_2$$O_3$-29 wt% MnO를 이용하였다. 실험결과 본 연구에서 이용한 받침재료는 온도와 밀도, Si의 반응성 면에서 적절한 성질을 나타내었으나, 유동도 및 계면 장력면에서 문제점을 나타내었다.
더보기A floating solidification technique is a process applied extensively to the production of glass plates. We used the technique for fabrication of Si plate. We used the proper liquid substrate material of 50 wt% $SiO_2$- 21 wt% $A1_2$$O_3$-29 wt% MnO, after studying ternary phase diagram of various oxides systems. The liquid substrate material has proper properties in the aspects of temperature, density and reactivity. But results showed some problems in fluidity and surface tension of the liquid substrate material.
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