KCI등재
LPCVD P₂O5 - SiO₂ 집적광학박막의 제작 및 특성연구 (1) : TEOS와 TMPite의 LPCVD = Fabrication and Characterization of LPCVD P₂O5 - SiO₂ Films for Integrated Optics (1) - LPCVD of TEOS and TMPite
저자
정환재(Hwanjae Jung) ; 이형종(Hyung Jong Lee) ; 임기건(Kiegon Im) ; 전은숙(Eun Suk Jeon) ; 정이선(Yisun Chung) ; 김진승(Jin Seung Kim) ; 양순철(Soon Chul Yang)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1993
작성언어
Korean
KDC
425
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
266-275(10쪽)
제공처
소장기관
Si 기판 위에 low pressure chemical vapor deposition 방법에 의해 TEOS (tetraethylorthosilicate)와 TMPite (trimethylphosphite)를 재료로하여 집적광학용 P₂O_5-SiO₂ 박막을 만들고 그 특성을 조사하였다. TEOS의 반응에 TMPite가 참여함으로서 반응활성화에너지는 54.6㎉/mole에서 39.2㎉/mole로 크게 낮아졌으며 박막의 증착속도와 P 농도는 TMPite의 유량에 비례하여 증가하였다. 또한 증착용도가 높을수록 박막의 증착속도는 증가하나 P 농도는 감소하였다. 제작된 박막의 굴절률은 P 농도 1wt% 당 0.0019로 P 농도에 비례하여 증가하였다. 측정된 박막 불균일도는 두께 ±7% 및 P 농도 ±0.5 wt% 정도로서 이러한 불균일성은 주로 TMPite의 불균일한 수송에 기인함을 보였다. 또한 P 농도가 10 wt%이상인 박막을 대기중에 장시간 노출하면 표면에 인산이 석출됨을 확인하였다.
더보기We made P₂O_5-SiO₂ films on silicon for integrated optics application by low pressure chemical vapor deposition using TEOS (tetraethylorthosilicate) and TMPite (trimethylphosphite) and studied the deposition characteristics. The activation energy of the reaction was changed from 54.6㎉/mole to 39.2㎉/mole by incorporating the TMPite into the reaction of TEOS. The deposition rate and the P concentration of films increased in proportion to the flow of TMPite. As the deposition temperature increased, the deposition rate of the films increased but the P concentration decreased. The fabricated films showed the increase of refractive index of 0.0019 per 1 wt% of P concentration. The nonuniformity of films was ±7% in thickness and ±0.5 wt% in P concentration and we showed this' nonuniformity is due to the nonuniform transport of TMPite. The films of more than 10 wt% P concentration developed phosphoric acid on its surface when exposed to air for long time.
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