KCI우수등재
SCOPUS
입체표면 폴리실리콘 전극에서 PECVD Ta₂O5 유전박막의 전기적 특성
저자
조용범(Yong-Beom Cho) ; 이경우(Kyung-Woo Lee) ; 천희곤(Hui-Gon Chun) ; 조동율(Tong-Yul Cho) ; 김선우(Sun-Oo Kim) ; 김형준(Hyeong-Joon Kim) ; 구경완(Kyung-Wan Koo) ; 김동원(Dong-Won Kim)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1993
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
246-254(9쪽)
제공처
DRAM 커패시터에서 축전용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제작하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 Ta₂O_5 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다. MIS(metal-insulator-semiconductor) 구조의 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 측정한 결과, HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극에서 기존의 평평한 표면을 갖는 전극에 비하여 축전용량은 1.2 ~1.5배까지 증대하였으나, 누설전류는 표면적의 증가에 따라 함께 증가함을 보였다. TDDB 특성에서도 HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극들이 평평한 표면형상에 비하여 더 열화되었음을 보여주었다. 이상과 같은 결과는 Ta₂O_5 유전박막을 이용한 차세대 DRAM 커패시터 연구에 기초자료로 이용될 수 있을 것으로 본다.
더보기In order to increase the capacitance of storage electrode in the DRAM capacitor, two approaches were performed. First, hemispherical and rugged poly silicon films were made by LPCVD to increase the effective surface area of storage electrode. The even surface morphology of conventional poly silicon electrode was changed into the uneven surface of hemispherical or rugged poly silicon films. Second, PECVD Ta₂O_5 dielectric films were deposited and thermally treated to study the dielectrical characteristics of Ta₂O_5 film on each electrode. MIS capacitors with Ta₂O_5 films were electrically characterized by I-V, C-V and TDDB measurements. As a result, the capacitance of the electrode with uneven surface were increased by a factor of 1.2~ 1.5 and leakage current was increased compared with those of even surface. TDDB result indicates that the electrode with uneven surface has dielectrically more degraded than that of even surface. These results can be helpful as a basic research to develop new generation DRAM capacitors with Ta₂O_5, films.
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