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UV/O<sub>3</sub> 조사 시간에 따른 Sol-gel 공정 기반 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 변화 = UV/O<sub>3</sub> Process Time Effect on Electrical Characteristics of Sol-gel Processed CuO Thin Film Transistor
저자
이소정 ; 장봉호 ; 김태균 ; 이원용 ; 장재원 ; Lee, Sojeong ; Jang, Bongho ; Kim, Taegyun ; Lee, Won-Yong ; Jang, Jaewon 연구자관계분석
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학술지명
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발행연도
2018
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Korean
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KCI등재
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학술저널
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1-5(5쪽)
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Sol-gel 공법을 이용하여, p-형 CuO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 copper (II) acetate monohydrate 를 전구체로 사용하였다. $500^{\circ}C$ 열처리 후에 형성된 전구체는 p-형 CuO 박막이 됨을 확인하였다. 또한 전구체를 형성하기 전 기판표면의 $UV/O_3$ 조사량에 따른 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성변화에 대하여 연구하였으며, 600 초동안 $UV/O_3$를 조사한 경우 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 $5{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$ 의 이동도와 약 $10^2$의 온/오프 전류비를 보여주었다.
더보기In this research, sol-gel processed CuO p-type thin film transistors were fabricated with copper (II) acetate monohydrate precursors. After $500^{\circ}C$ annealing process, the deposited thin films were fully converted into CuO. We investigated $UV/O_3$ process time effect on electrical characteristics of sol-gel processed CuO thin film transistors. After 600 sec $UV/O_3$ process, the fabricated CuO thin film transistor delivered field effect mobility in saturation regime of $5{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$ and on/off current ratio of ${\sim}10^2$.
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