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DUV와 열의 하이브리드 저온 용액공정에 의해 형성된 Al2O3 게이트 절연막 연구 = Study of Low Temperature Solution-Processed Al2O3 Gate Insulator by DUV and Thermal Hybrid Treatment
저자
장현규 (전자부품연구원) ; 김원근 (전자부품연구원) ; 오민석 (전자부품연구원) ; 권순형 (전자부품연구원)
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2020
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
286-290(5쪽)
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The formation of inorganic thin films in low-temperature solution processes is necessary for a wide range of commercial applications of organic electronic devices. Aluminum oxide thin films can be utilized as barrier films that prevent the deterioration of an electronic device due to moisture and oxygen in the air. In addition, they can be used as the gate insulating layers of a thin film transistor. In this study, aluminum oxide thin film were formed using two methods simultaneously, a thermal process and the DUV process, and the properties of the thin films were compared. The result of converting aluminum nitrate hydrate to aluminum oxide through a hybrid process using a thermal treatment and DUV was confirmed by XPS measurements. A film-based a-IGZO TFT was fabricated using the formed inorganic thin film as a gate insulating film to confirm its properties.
더보기저온에서 용액 공정을 통해 무기 박막을 형성하는 기술은 유기물을 사용하는 전자 장치 상용화에 활용도가 매우 높은 기술이다. 형성된 산화 알루미늄 무기 박막은 공기 중의 수분 및 산소를 막아 전자 장치의 열화를 방지하는 배리어 필름으로 사용될 수있다. 또한, 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로 사용될 수 있다. 본 연구에서, 산화 알루미늄 무기 박막 형성을 열공정과 DUV 공정의 두 가지 방법을 사용하여 동시에 수행되었으며, 박막의 특성을 각각 비교 하였다. 열처리와 DUV를 사용한 하이브리드 공정 통해 질산 알루미늄 수화물을 산화 알루미늄으로 변환한 결과를 XPS 측정으로 확인하고, 형성된 무기 박막을 게이트 절연막으로 사용하여 필름기판 기반의 a-IGZO TFT를 제작하여 특성을 확인하였다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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