SPM(Scanning Probe Microscopy)을 이용한 국소영역에서 실리콘 나노크리스탈의 전기적 특성 분석 = Electrical Property Analysis of Si Nanocrystals on Insulator by Scanning Probe Microscopy

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는 scanning capacitance microscopy(SCM)와 electrostatic force microscopy(EFM)를 이용하여 국소영역에서 실리콘 나노 크리스탈의 전기적 특성을 분석하였다. 실리콘 나노 크리스탈은 에어로졸 방식으로 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 10~40 nm의 크기와 약 10^(10)/㎠의 밀도를 갖도록 제작하였다. 실리콘 나노 크리스탈에서 전자와 정공의 trapping 현상은 EFM, SCM 이미지를 통하여 관찰하였고 이러한 나노 크리스탈의 국소영역 특성과 MOS 캐패시터 구조의 C-V 특성을 비교 분석하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

scanning probe microscopy(SPM) with a conducting tip has been used to electronically probe silicon nanocrystals (NCs) on an insulating substrate. The NC samples were produced by aerosol techniques followed by a sharpening oxidation. The size of NCs is in the range of 10-40 nm and deposited on a p-type silicon substrate with a density of around 10^(11)/㎠. Using a conducting tip, the charge was injected directly into the NCs, and the bias dependent images due to the trapped charges in the NCs were monitored. Charging effects affected by the size of NCs and injection direction were also estimated from the apparent height differences of the NCs with respect to the applied bias.