KCI등재
Solution growth of polycrystalline silicon on Al-Si coated borosilicate and quartz glass substrates for low cost solar cell application = 저가태양전지에 응용을 위한 용액성장법에 의한 Al-Si층이 코팅된 유리기판상의 다결정 실리콘 박막성장에 관한 연구
저자
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
1994
작성언어
English
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
238-244(7쪽)
제공처
소장기관
보로실리케이트 유리기판과 석영기판을 사용하여 $800^{\circ}C~520^{\circ}C$의 온도 범위에서 용액 성장법에 의한 다결정 실리콘 박막의 성장에 관해 조사 하였다. 기판상에는 용애과의 젖음성을 좋게 해주기 위해 박막의 알루미늄츠오가 실리콘층이 증착되었으며, 용매로는 알루미늄과 실리콘옥사이드와의 반응에 의해서 일어난다. 결정립 크기가 수백 마이크론까지 이르는 실리콘을 얻을 수 있었으며, 석영기 판의 경우에는 보르실리 케이트 유리기판보다 강한 (111) 우선 성장 방향을 보여주고 있다.
더보기We investigated solution growth of silicon on borosilicate and quartz glass substrates in the temperature range of $800^{\circ}C~520^{\circ}C$. A thin Al-Si layer evaporated onto the substrate serves to improve the wetting between the substrate and the Al/Ga solvent. Nucleation takes place by a reaction of Al with $SiO_2$ from the substrate. We obtained silicon deposits with a grain size up to a few 100 $\mu\textrm{m}$. There was a perferential (111) orientation for the case of quartz glass substrates while there is a strong contribution of other orientations for the deposition of Si on borosilicate glass substrates.
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