SCI
SCIE
SCOPUS
Double Gaussian barrier distribution of permalloy (Ni<sub>0.8</sub>Fe<sub>0.2</sub>) Schottky contacts to n-type GaN
저자
Janardhanam, V. ; Jyothi, I. ; Sekhar Reddy, P.R. ; Cho, Jaehee ; Cho, Jeong-Mook ; Choi, Chel-Jong ; Lee, Sung-Nam ; Rajagopal Reddy, V.
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-주제어
등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
508-516(9쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>The temperature-dependent current-voltage (<I>I-V</I>) characteristics of permalloy (Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB>) Schottky contacts to n-type GaN have been investigated. Magnetization measurements revealed the ferromagnetic behavior of Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB> film on n-type GaN. The Schottky barrier parameters, such as the barrier height and ideality factor, determined by thermionic emission depended on the measurement temperature, suggesting the presence of lateral inhomogeneity in the Schottky barrier. The experimental data modified by the thermionic emission model along with a Gaussian distribution of the barrier heights indicated the presence of a double Gaussian barrier distribution in the Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB>/n-type GaN Schottky contact. The mean barrier heights and standard deviations for each Gaussian distribution were 0.84 & 1.32 eV and 0.10 & 0.17 eV over temperature range of 125–200 K and 225–400 K, respectively. The noise spectral density of the current fluctuations measured as a function of frequency (<I>f</I>) at room temperature followed a 1/<I>f</I> <SUP> <I>γ</I> </SUP> dependence with a <I>γ</I> value close to unity, irrespective of the applied forward bias. The 1/<I>f-</I>type noise was attributed to the barrier inhomogeneity existing at the Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB>/n-type GaN Schottky interface as revealed from the temperature-dependent <I>I</I>–<I>V</I> characteristics.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> The Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB>/n-type GaN structure showed ferromagnetic behavior. </LI> <LI> <I>I</I>–<I>V</I>–<I>T</I> characteristics of permalloy (Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB>)/n-GaN Schottky diodes were studied. </LI> <LI> Thermionic emission model with a Gaussian distribution of barriers indicates double barrier distribution. </LI> <LI> At 300 K, current noise spectral density against frequency (<I>f</I>) showed a 1/<I>f</I> dependence. </LI> <LI> 1/<I>f-</I>type noise was attributed to barrier inhomogeneity at the Ni<SUB>0.8</SUB>Fe<SUB>0.2</SUB>/n-type GaN Schottky interface. </LI> </UL> </P>
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