SCOPUS
KCI등재
$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구 = Thermal behavior of modified silicon surface by $CHF_3/C_2F_6$ reactive ion etching
저자
박형호 ; 권광호 ; 곽병화 ; 이중환 ; 이수민 ; 권오준 ; 김보우 ; 성영권 ; Park, Hyung-Ho ; Kwon, Kwang-Ho ; Koak, Byong-Hwa ; Lee, Joong-Whan ; Lee, Soo-Min ; Kwon, Oh-Joon ; Kim, Bo-Woo ; Seong, Yeong-Gwon
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1992
작성언어
Korean
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
35-42(8쪽)
제공처
소장기관
실릴콘 산화막을 $CHF_3/C_2F_6$ 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상충의 열적 거동을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기 (SIMS)를 사용, 연구하였다. 저항가열을 통한 in-situ 분석에 의해 폴리머 잔류막은 $200^{\circ}C$부터 분해가 시작되고 $400^{\circ}C$ 이상의 가열에서는 graphite 형태의 탄소 결합체를 형성하며 분해됨을 알았다. 질소 분위기하의 급속 열처리를 통해 잔류막의 열분해는 $800^{\circ}C$ 이상에서 완료되고 손상층을 형성하는 침투 불순원소의 기판 외부로의 확산이 관찰되었다.
더보기Thermal behavior of residue and damaged layer formed by reactive ion etching (RIE) in $CHF_3/C_2F_6$ were investigated using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and secondary ion mass spec-trometry(SIMS) techniques. Decomposition of polymer residue film begins at $200^{\circ}C$ and above $400^{\circ}C$ carbon compound as graphite mainly forms by in-situ resistive heating. It reveals that thermal decomposition of residue can be completed by rapid thermal anneal treatment above $800^{\circ}C$ under nitrogen atmosphere and out-diffusion of carbon and fluorine of damaged layer is observed.
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